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什么是晶體缺陷?

發(fā)布日期:2021-01-13

什么是晶體缺陷?


晶體內(nèi)的原子是按一定的的原則周期性地排列著的。如果在晶體中的一些區(qū)域,這種排列遭到破壞,稱這種破壞為晶體缺陷。晶體缺陷對半導(dǎo)體材料的使用性影響很大,在大多數(shù)的情況下,它使器件性能劣化直至失效。因此在材料的制備過程中都要盡量排除缺陷或降低其密度。晶體缺陷的控制是材料制備的重要技術(shù)。
  晶體缺陷的種類:
(1)點(diǎn)缺陷,如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。
(2)線缺陷,呈線狀排列,如位錯(cuò)就是這種缺陷。
(3)面缺陷,呈面狀,如晶界、堆垛層錯(cuò)、相界等。
(4)體缺陷,如空洞、夾雜物、雜質(zhì)沉淀物等。
(5) 微缺陷,幾何尺寸在微米級或更小,如點(diǎn)缺陷聚集物等。

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